简介： 本发明涉及一种具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法。本发明的特征是，先采用真空还原法，在300℃下将氧化石墨烯还原成石墨烯，同时石墨烯骨架中的C=C键被破坏掉，再结合超声处理，从而得到长100～400nm，宽20～80nm的石墨烯纳米带。该纳米带暴露出较多的边缘，可以作为一种理想的载体，并表现出半导体的特性。在模拟太阳光的照射下，制备的石墨烯纳米带具有强的光生电子能力及电子传输能力。