简介： 本发明公开了一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法，其特征在于，由下列重量份的原料制成：碳化硅70-80、二甲基硅油2-3、预胶化淀粉2-4、二氧化锗4-6、乳白玻璃2-4、无水乙醇15-20、氧化聚乙烯蜡2-3、短切碳纤维预分散体14-18、烧结助剂3-4、去离子水80-90；本发明添加的短切碳纤维提高碳化硅的力学性能，提高陶瓷的断裂韧性，提高素坯的强度和致密度，满足机械加工要求，本发明碳化硅陶瓷复合材料热导率高，抗热震性好，耐腐蚀，使用寿命长；工艺简单，操作安全，不造成污染，采用真空烧结制备的碳化硅陶瓷复合材料电阻率高，满足IT和电工行业的要求。