基于聚硅氮烷先驱体的氮化硅陶瓷材料及其制备方法
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基于聚硅氮烷先驱体的氮化硅陶瓷材料及其制备方法
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简介: 本发明涉及一种基于聚硅氮烷先驱体的氮化硅陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷材料制备领域。本发明陶瓷材料各组分质量百分比为聚硅氮烷45~75wt.%;光固化树脂20~50wt.%;光引发剂3~5wt.%;除泡剂1~5wt.%。本发明陶瓷材料的制备方法,首先将聚硅氮烷、光固化树脂、光引发剂与除泡剂加入球磨机中,200~400rpm转速下球磨1~2小时得到混合均匀的浆料;然后利用光固化成型设备打印成预定形状的陶瓷生坯;再经过干燥和真空烧结得到陶瓷成品。
本发明涉及一种基于聚硅氮烷先驱体的氮化硅陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷材料制备领域。本发明陶瓷材料各组分质量百分比为聚硅氮烷45~75wt.%;光固化树脂20~50wt.%;光引发剂3~5wt.%;除泡剂1~5wt.%。本发明陶瓷材料的制备方法,首先将聚硅氮烷、光固化树脂、光引发剂与除泡剂加入球磨机中,200~400rpm转速下球磨1~2小时得到混合均匀的浆料;然后利用光固化成型设备打印成预定形状的陶瓷生坯;再经过干燥和真空烧结得到陶瓷成品。
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标签:真空冶金
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