简介： 一种陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件。膏体的组成为：Mo粉3.0～5.0wt.％，粘结剂8.0～15.0wt.％和AgCuInTiLi合金粉为余量。其制备方法包括：制备陶瓷低温活性金属化用膏体，将膏体涂覆在陶瓷表面，烘干陶瓷除去粘结剂和真空烧结。陶瓷活性金属化处理后，可在表面生成厚度40μm～60μm的金属过渡层，可焊性得到改善，焊着率及焊接强度显著提高。该处理方法适用于氧化铝、氧化锆、氧化铍、氮化硼等多种陶瓷金属化，方法简单，操作流程短，成本低，利于批量生产。