简介： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高纯大尺寸SIC晶体衬底材料的制备方法，包括以下步骤：S1、按一定化学计量比称量硅粉和碳粉，将它们混合均匀后加入到石墨坩埚中；S2、在S1中的石墨坩埚中添加含有氯元素的先驱体并搅拌均匀；S3、将S2中的石墨坩埚放入真空烧结炉中后关炉，待真空抽至≤10^‑4Pa以后，再充入稀有气体至所需压强；S4、按一定升温速率进行升温至所需温度进行高温合成，待一段时间后降温后，停炉取出样品。本发明通过添加含氯元素的先驱体，实现厚膜外延材料，单层外延层厚度达80微米，突破厚膜生长的重复性、稳定性、一致性等产业化瓶颈共性技术，并且消除硅滴以及硅组分失配等外延缺陷。