简介： 本发明涉及一种高可靠性高压功率半导体模块芯片的制造工艺，整个制造工艺流程包括：磷扩散、硼扩散、蒸镀钛镍银合金、线切割、磨角、真空烧结、酸腐蚀、双层胶体联合保护、室温硫化、高温固化、检测包装。其中双层胶体联合保护如图所示，是先将聚酰亚胺(PI)胶(图中41)均匀涂敷于芯片台面，形成致密保护层，再使用自主研发的自动涂胶工装夹具，批量涂敷深蓝色硅橡胶(图中42)。本发明结合了GPP方片和OJ圆片两种工艺的优点，对现有功率半导体模块芯片的制造工艺进行改进，有效阻止电子迁移，减小芯片高常温漏电流，致密结构极有利于后续的模块封装和储存，有效提高产品的可靠性和良品率。