致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法
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致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法
来源:北方有色网
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简介: 发明公开了一种致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法,它的步骤如下:(1)将硅粉和石油焦粉末以质量比2-6 : 1均匀混合,加入适量酚醛树脂,压制成型,烘干,得到坯料;(2)将坯料移入真空炉中,于1310-1410℃的条件下,在氮气氛下烧结0.5-1.0?hr,得到半烧结制品;(3)将半烧结制品再次移入铺有真空烧结炉中,在1400-1450℃的条件下保温0.5-1.0hr;然后升温至1550-1650℃氮气氛下保温0.5-1.0?hr,得到致密原位Si4N3-SiC复合材料。本发明利用50-200目硅粉和石油焦粉末和少量酚醛树脂为初始原料,通过坯料低温氮化法和高温反应熔渗法获得原位Si4N3-SiC复合材料,孔隙率小于10%。该法形成复合材料具有界面清洁,氧含量低,密度高,相组成可以任意变化的特点。该法工艺简单,可工业规模生产。
发明公开了一种致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法,它的步骤如下:(1)将硅粉和石油焦粉末以质量比2-6 : 1均匀混合,加入适量酚醛树脂,压制成型,烘干,得到坯料;(2)将坯料移入真空炉中,于1310-1410℃的条件下,在氮气氛下烧结0.5-1.0?hr,得到半烧结制品;(3)将半烧结制品再次移入铺有真空烧结炉中,在1400-1450℃的条件下保温0.5-1.0hr;然后升温至1550-1650℃氮气氛下保温0.5-1.0?hr,得到致密原位Si4N3-SiC复合材料。本发明利用50-200目硅粉和石油焦粉末和少量酚醛树脂为初始原料,通过坯料低温氮化法和高温反应熔渗法获得原位Si4N3-SiC复合材料,孔隙率小于10%。该法形成复合材料具有界面清洁,氧含量低,密度高,相组成可以任意变化的特点。该法工艺简单,可工业规模生产。
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标签:真空冶金
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