热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法
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热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法
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简介: 本发明公开了一种热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法。首先将硅源放入石墨坩底部,在坩锅顶部搁置碳质材料,硅源与碳质材料之间不相互接触,碳质材料既是反应的碳源,又充当反应产物形成的基底,把装好样的坩锅装置放入高温真空烧结炉中,抽真空到0.1~20PA,然后充入氩气保护气。然后,加热升温至1200~1650℃,保温0.5~10小时后,关掉电源,冷却后取出石墨坩埚,便得到碳质材料上有一层淡绿色、淡蓝色或灰色产物。本发简单的热蒸发法具有生产成本低、纳米线纯度高,工艺简单易行的优点。
本发明公开了一种热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法。首先将硅源放入石墨坩底部,在坩锅顶部搁置碳质材料,硅源与碳质材料之间不相互接触,碳质材料既是反应的碳源,又充当反应产物形成的基底,把装好样的坩锅装置放入高温真空烧结炉中,抽真空到0.1~20PA,然后充入氩气保护气。然后,加热升温至1200~1650℃,保温0.5~10小时后,关掉电源,冷却后取出石墨坩埚,便得到碳质材料上有一层淡绿色、淡蓝色或灰色产物。本发简单的热蒸发法具有生产成本低、纳米线纯度高,工艺简单易行的优点。
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标签:真空冶金
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