简介： 本发明属于一种光电薄膜制备技术领域，具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是：通过Ga2O3高纯（99.995%）粉体制胚并真空烧结，再粉碎成粒后作为起镀材料，采用e型枪对起镀材料进行直接真空蒸发，使起镀材料气化成分子或原子沉积在衬底材料上，并通过控制沉积速率和沉积氛等关键工艺参数，最终获得大面积高纯度的Ga2O3薄膜。本发明方法制备成本低、重复性好、工艺要求简单、可控性好，所获得的薄膜呈现各向同性的非晶结构，在可见‑近红外范围透过较高，吸收较小，不仅适宜于光学应用，并且通过后退火处理，使其晶化后具有紫外光电探测和气敏等特性。