简介： 本发明公开了一种二极管的优化生产工艺，将硅晶芯片切割成六边形的单元体酸洗后，进行清洗；在400~500℃下进行氧化反应；管芯在650~750℃下进行真空烧结，30分钟后进行镀膜；将管芯切割为六边形直棱柱；用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面，然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面；将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗，然后涂聚酰亚胺进行固化处理；进行模压处理，模压后在180℃下进行烘烤；最后对所得产品进行表面处理，通过再测试后，进行成品包装。本发明采用多层压接式的结构，降低管芯的热疲劳，减少漏电、性能良好；不使用焊接，有效防止电阻增加；在管芯真空烧结前进行酸洗，防止引线及焊片引入其他杂质元素。