简介： 一种普通电力整流二极管芯片的整套生产工艺流程，从开始到结束，整个生产工艺流程包括：线切割，清洗，真空烧结，真空蒸镀及真空微合金，黑胶保护，磨角，酸腐蚀，胶体保护，室温硫化，高温固化，检测包装。其中清洗以后的单晶硅片，按照以下多层结构，从下至上依次为：钼片、铝箔、单晶硅片，在烧结炉中进行真空烧结，后将铝膜蒸镀到整个单晶硅片上；所述磨角采用多角度搭配研磨工艺。本发明的优点在于：制造出一种新结构的芯片，且突破了传统的电力整流管芯片台面单一角度的台面造型模式。多角度搭配研磨工艺新应用技术的出现，使得芯片台面具有更加完美的多角度台面造型。有效提高了电力整流管芯片承载更高工作电压的能力。