简介： 本发明属于新材料制造及应用技术领域，具体涉及一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法。本发明对行星球磨的氧化镁粉末进行冷等静压成型后真空烧结，得到近净成形高纯致密氧化镁靶材。其中，真空烧结温度为1400～1550℃，保温时间为2～10h，真空度为0.1～1.0Pa。该法制备的高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36％以上，杂质元素总含量为100ppm以下，平均晶粒尺寸为7μm以下，尺寸偏差为3.0μm以下，表面粗糙度Ra低于0.4μm。本发明制备的氧化镁靶材纯度和致密度高、晶粒细小均匀，本发明制备方法生产周期短、生产成本低、生产效率高、可批量生产。