简介： 本发明专利属于新材料领域，特别涉及一种真空烧结生产熔喷氧化铬的方法，包括如下步骤：步骤一，325目的三氧化二铬细粉和有机胶结材料均化，加入纯净水增湿，液压压块机压块，80℃内低温烘干，再在500℃内预烧结固化；步骤二，将预烧结固化的压块摆放在真空烧结炉内，逐步升温至1300℃~1450℃，真空度控制在50Pa内，持续保温30~60h后，自然温度降至1000℃后在真空烧结炉内充氩气，达到常压或微正压，加快降温速度，开炉门，冷却至室温后出炉；步骤三，冷却后的成块物料经过粗破‑细破‑整形‑分级，得到不同粒径的熔喷氧化铬。本发明可以有效解决成品收成率过低的难题。有效解决了困扰氧化铬常温烧结制熔喷氧化铬1650℃以上温度普通窑炉难实现的问题。