简介:
本实用新型提出一种制备β‑SiC纳米粉体的真空还原热处理设备,包括炉体,所述炉体内部设有放置盒,所述放置盒为顶部开口结构,所述放置盒内部设有多个隔板,所述放置盒一侧与进料板相接触,所述进料板一端与进料口相连,所述进料口设置在炉体端面上,所述进料板上设有多个凸条,所述凸条底部与滑轨滑动连接,所述滑轨固定连接在进料板顶部,所述凸条数量与隔板数量一致,所述凸条一端与隔板相接触;通过设置放置盒以及在放置盒内设有隔板,并通过进料板进行放置石墨,可保证石墨在放置时间隔一致,提高其还原效果。
本实用新型提出一种制备β‑SiC纳米粉体的真空还原热处理设备,包括炉体,所述炉体内部设有放置盒,所述放置盒为顶部开口结构,所述放置盒内部设有多个隔板,所述放置盒一侧与进料板相接触,所述进料板一端与进料口相连,所述进料口设置在炉体端面上,所述进料板上设有多个凸条,所述凸条底部与滑轨滑动连接,所述滑轨固定连接在进料板顶部,所述凸条数量与隔板数量一致,所述凸条一端与隔板相接触;通过设置放置盒以及在放置盒内设有隔板,并通过进料板进行放置石墨,可保证石墨在放置时间隔一致,提高其还原效果。