简介： 本发明涉及一种采用真空熔铸法制备铬靶的方法,依下述步骤进行:a.Cr块的挑选:将有氧化皮、被污染的Cr块挑出;b.熔炼:将合格的Cr块装入中频真空感应炉中,升温速率为10-18℃/min,熔炼温度为1800～2000℃;c.浇注:以0.6～0.8m/s的浇注速度快速浇铸到水冷Cu模中,进行快速冷却,制得Cr靶。本发明通过感应加热方法,在高温下将材料熔化,快速浇铸,并辅以快速冷却,实现快速形核并且抑制核长大,本方法制得的Cr靶,具有成分均匀、致密性高、晶粒细小、纯度高、工艺简单、成本低等优良的综合性能。