简介： 本发明公开了一种在钛金属表面原位生长介电薄膜及其制备方法,包括如下步骤:配置电解液采用氢氧化钡或氢氧化锶或两者的混合液,其中氢氧化钡溶液的摩尔浓度在0~0.6mol/L之间,氢氧化锶溶液的摩尔浓度在0~0.3mol/L之间;采用直流脉冲电源,电流密度为100~500mA/cm2,脉冲频率为50~250Hz,占空比为60%~95%,处理时间为6~60min;将钛金属基体连接到阳极,反应时控制电解液的温度保持在50～60℃之间;反应后,取下被处理的钛金属,用蒸馏水冲洗,烘干。本发明工序简单、成膜速度快,薄膜与基体Ti的结合为冶金结合,薄膜具有优异的介电性能。