简介： 在半导体晶片上的钝化层上形成扩大的焊盘,再将晶片切割成单独的电路芯片。切割后,封装各个芯片,方法是:将每个芯片固定在封装件核心中,并在结果组件上制成一层或多层金属化层。在至少一个实施例中,利用受控致密芯片连接(C4)处理的高熔融温度交替隆起物冶金(ABM)形式在晶片上的焊盘上形成较宽的导电平台。