简介： 本发明公开了一种选择性发射极的制备方法，包括：S01、对制绒后的N型硅片的正面进行硼扩散；S02、去除硼硅玻璃；S03、在硅片正面丝网印刷纳米硼浆，并烘干；S04、利用皮秒激光进行纳米硼浆推进，在硅片的电极区域形成选择性重掺杂；S05、去除残留的纳米硼浆。本发明采用丝网印刷纳米硼浆，并借助皮秒激光掺杂设备实现硅片的电极区域的纳米硼浆的激光推进，可以选用能量较低的皮秒激光进行推进，减少了激光推进对硅基体的损伤，也方便更好的控制推进程度，使硅片与电极接触区域达到预期的方阻值，提高了电池性能，很好地弥补了选择性发射极与P型PERC电池工艺结合的缺陷。并且，纳米硼浆通过激光熔覆后更容易同基体材料形成良好的冶金结合。