简介： 本发明公开了一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法。按下述步骤进行：a）将硅块制成50～1000目的硅粉；再对硅粉预处理：分别用H₂SO₄与H₂O₂的混合溶液、HF溶液、无水乙醇溶液以及纯水各搅拌清洗，之后放入真空干燥箱中烘干；b）将预处理后的硅粉用腐蚀液进行高温腐蚀，再用纯水进行清洗、过滤后烘干，得到多孔硅；c）多孔硅的氧化：将多孔硅通过水溶液浸注或高温退火方式进行氧化，在多孔硅表面构筑含氧多孔层，得到含氧多孔硅；d）对含氧多孔硅进行酸洗，去除表面氧化层，再进行清洗、过滤后烘干，得到去除B的硅粉。本发明制备路径新颖，工艺简单，易操作，成本较低，能够有效的降低冶金级硅中的B浓度，并能在工艺上使B的浓度很容易的控制。