简介： 本发明涉及一种高纯钨靶材的制备方法，属于难熔金属制备特种技术领域。所述方法利用化学气相沉积通过控制核心参数制备高纯钨板，进一步采用高温轧制和热处理再结晶进行加工，最后通过机械加工后与背板焊接得到高纯钨靶。所述方法制备出的钨靶材纯度高达99.9999％以上，较利用粉末冶金制备出的钨靶材相比纯度更高，杂质更少，这使得在磁控溅射中，有效避免了钨靶材在电子轰击作用下内部杂质元素被转移到终端产品上，可大幅度提高终端产品的良率。