简介： 本发明一种去除硅中杂质磷的方法,属物理冶金提纯硅的技术领域,采用真空感应炉,在惰性气体氩气保护下,用具有强还原性的含钙合金或钙化合物作为脱磷剂,用钙的卤化物作助熔剂,在硅熔融态下进行脱磷反应。其操作步骤是:将工业硅料、脱磷剂、助熔剂按比例配好,混匀盛入坩埚内,将坩埚置于密闭的真空感应加热炉;抽出炉内空气,使加热炉保持微负压,停止抽真空,向加热炉内填充氩气,使炉内外气压一致;感应加热,当炉内温度达到1450℃-1600℃时,维持20-30min;脱磷结束后,缓慢自然冷却至室温;在稀盐酸下浸泡处理硅块2-4小时,去除杂质。经过脱磷处理后的硅块,磷含量小于2ppm,再进行去硼、去金属杂质处理,可作为太阳能电池的硅原料。