简介： 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化钬氧化镝作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化钬3％～7％，氧化镝5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化钬氧化镝作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。