简介： 本发明公开了一种半固态振荡热压烧结高硅铝合金电子封装材料的制备方法，该方法以雾化沉积‑快速凝固法制备得到的高硅铝合金粉末为原料；将原料装入铝包套后进行预处理得到高硅铝合金预制体；对得到的高硅铝合金预制体在惰性气体气氛中进行半固态振荡热压烧结处理，制备得到高硅铝合金初产品；对得到的高硅铝合金初产品经固溶和时效处理得到高硅铝合金电子封装材料；所述半固态振荡热压烧结处理的温度为630～680℃，振荡压力为35±5MPa。避免了完全液相状态下粗大的初生硅的析出。与传统的粉末冶金法制备的高硅铝合金电子封装材料相比，硅相的扩散与偏析可控，可有效提高致密化速率。