简介： 本发明公开一种减小静态随机存储器漏电流的方法，包括有源区、多晶硅栅和接触孔，其中，首先在所述多晶硅栅两侧的部分有源区上覆盖侧墙，并在所述侧墙外侧的有源区上注入形成重掺杂区域，所述侧墙下侧的有源区上注入形成轻掺杂区域；之后通过增加一层光刻板，进行一次调节轻掺杂结深的离子注入工艺，使得所述轻掺杂区域的结深被加深；然后在所述多晶硅栅、所述侧墙以及所述有源区上覆盖接触孔刻蚀停止层和层间介质；最后再进行接触孔刻蚀，以及钨填充和钨平坦工艺，形成共享接触孔。使用本发明，通过添加附加的注入工艺，调节静态随机存储器的共享接触孔下方有源区中轻掺杂区域的冶金结结深，有效地减少静态随机存储器漏电的现象。