通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法
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通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法
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简介: 本发明公开了一种通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法,包括SiC粉体的氧化处理混料、高速压制成型、N2气氛保护烧结和冷却步骤。本发明通过高速压制技术制备高体积分数的SiC颗粒增强Al基复合材料的压坯,该过程制备的压坯密度高且密度分布均匀、生产率高、成本低廉,可经济成形大型零件。SiC颗粒增强Al压坯经高速压制技术单次压制后,相对密度为85‑92%,较高的压坯密度有利于降低烧结温度和烧结时间。在N2气氛保护下,压坯加热到铝合金熔点以上进行液相烧结,液相填充碳化硅颗粒之间的空隙和铝合金粉末间的冶金结合同时进行。烧结坯凝固冷却后的得到碳化硅分布均匀、相对密度94‑98%、热导率150‑190W/mK的碳化硅增强铝基复合材料。
本发明公开了一种通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法,包括SiC粉体的氧化处理混料、高速压制成型、N2气氛保护烧结和冷却步骤。本发明通过高速压制技术制备高体积分数的SiC颗粒增强Al基复合材料的压坯,该过程制备的压坯密度高且密度分布均匀、生产率高、成本低廉,可经济成形大型零件。SiC颗粒增强Al压坯经高速压制技术单次压制后,相对密度为85‑92%,较高的压坯密度有利于降低烧结温度和烧结时间。在N2气氛保护下,压坯加热到合金熔点以上进行液相烧结,液相填充碳化硅颗粒之间的空隙和铝合金粉末间的冶金结合同时进行。烧结坯凝固冷却后的得到碳化硅分布均匀、相对密度94‑98%、热导率150‑190W/mK的碳化硅增强铝基复合材料。
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标签:电冶金技术
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