简介： 本发明主要涉及一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备及镀膜工艺，专用镀膜设备的基本原理为双层辉光等离子表面冶金，其主要特征结构包括真空室，真空室中部平行等距且相互绝缘的源极和阴极，源极和阴极外的隔热栅，真空室上方的阳极，真空室下方的氩气入口以及真空室后方的真空系统，真空室外的测温系统；表面生成的金属膜层厚度均匀且金属靶材的利用率高，整个镀膜过程中温度相对偏低，对磁体的损害较小，可控性强，无污染，对人体无损害，设备结构简单，靶材限制性小。