简介： 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的方法,第一步备料:将低磷、低金属的高纯硅料放入底部带冷却的熔炼坩埚中,向装粉桶中加入需提纯的高磷、高金属硅粉;第二步预处理:对真空室进行抽真空;对熔炼坩埚及拉锭机构冷却至25-45℃;预热电子枪;第三步提纯:打开电子枪进行熔炼,去除挥发性杂质磷;熔炼后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金属杂质聚集于硅锭上部;关闭电子枪,继续抽真空15-30分钟,打开放气阀放气,打开真空盖,取出硅锭切去硅锭上部含金属杂质较多的部分即可。本发明同时实现电子束熔炼硅粉除磷和定向凝固除金属的双重效果,达到高效熔炼硅粉,快速除去杂质的目的。