简介： 本发明涉及冶金学领域,特别是由富含Si²⁸的无机化合物,主要是四氟化硅来生产单同位素硅的方法。本方法包括将四氟化硅在高温下还原,特征在于通过在180-200℃的温度下将四氟化硅用氢化钙还原的方法来制备硅烷,然后将得到的硅烷在800-900℃的温度下进行高温分解处理,且单同位素硅沉积到基体上的速度不超过0.5mm/小时。单同位素硅的沉积速度主要通过改变硅烷的供应速度来调节。沉积过程在一个预先得到的单同位素硅基体上进行,或者分两个阶段进行,第一阶段是在一个难熔基体上,例如一个熔点高于硅沉积温度的金属基体进行沉积,然后,将得到的单同位素硅棒与基体脱离,继续在第一阶段得到的单同位素硅棒上进行沉积操作。