简介： 本发明属于高温难熔金属靶材制备领域，具体涉及一种钼合金溅射靶材的制备工艺，本发明采用粉末冶金方法制备，靶材所用原料包含合计原子百分比0.5％‑‑40％的Ga、Ni、Nd元素组中的至少一种元素和原子比0.5％‑‑40％的Ti作为掺杂金属，余量为Mo和不可避免的杂质；本发明经过原料配比、原料混合、胶套装粉定型、冷等静压作业、热等静压作业、热轧作业和机加工作业，得到最终所需产品尺寸；本发明工艺步骤简单，操作便捷，制备的钼合金溅射靶材耐氧化性、耐湿性、与PR胶的粘合力等各项技术指标优秀，可满足高端电子产品镀膜领域使用需求，且生产成本低，产品尺寸宽泛，便于工业化批量生产。