简介： 本发明涉及一种高纯钽靶材的生产方法，其包括（1）将大小为5~10mm*5~10mm的钽块置于氢化炉中进行吸氢；（2）将吸氢完毕的钽破碎成-200目的粉末，置于钢包套中，按一定速率和阶段进行升温和抽气，之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结，烧结温度为1100~1500℃，气氛压力为50~200MPa，最后机加工，切割成规定形状，即得。本发明采取粉末冶金的方法并结合特定的工艺条件，可以获得织构分布均匀、晶粒大小分布均匀且晶粒尺寸小的钽靶材，该靶材具有高沉积速度和较好的膜均一性，产生出较少的电弧和粒子并具有较好的成膜性能。特别是，本发明的方法的工艺过程简单，成本较低。