简介： 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法,在真空度为0.001Pa以下的高真空条件下,先在熔炼坩埚中通过感应加热1430-1460℃熔化高纯多晶硅料,形成高纯硅熔液,并使其保持液态,然后升温使硅熔液温度达到1500-1600℃;高磷、高金属硅棒连续缓慢的加入硅熔液之中,杂质磷在浅层熔池中不断蒸发而得到去除,待高磷、高金属硅棒完全熔入熔池后,感应加热使熔炼坩埚中液态在1450-1500℃温度下保持一段时间,进行定向凝固,切去硅锭顶部金属杂质含量较高的多晶硅即可。本发明综合高温、高真空大面积浅熔池熔炼和定向凝固的技术,其提纯效果好,操作简单,节约能源,成本低,生产效率高,适合批量生产。