简介： 本发明涉及一种掺杂半导体材料的方法。本质上,所述方法包括将一定量的粒子半导体材料与离子盐或离子盐制剂混合。优选地,该粒子半导体材料包含尺寸在1NM至100ΜM范围内的纳米粒子。更优选地,该粒度在50NM至500NM的范围内。优选的半导体材料是本征和冶金级硅。本发明延伸至包含掺杂的半导体材料以及粘合剂和溶剂的可印刷组合物。本发明还延伸至由具有P和N型性质的可印刷组合物的层形成的半导体装置。