简介:
本发明涉及一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法,属于粉末冶金技术领域,所述制备方法包括原料粉的制备、混粉和靶材的真空热压烧结,具体包括如下步骤:将高纯钽和钌块体分别破碎成<2mm并筛分,得钽粉和钌粉;对钽粉和钌粉球磨至粒度在5‑200μm;将球磨好的两种粉体按照一定比例混料,得混合料;将混合料干燥后装入石墨模具;将模具放入热压炉中进行真空热压烧结,烧结结束后得高纯钽钌合金靶材的坯体;然后按照磁控溅射镀膜设备要求,对坯体进行加工,得到高纯钽钌合金靶材。采用本发明的制备方法,可显著降低传统铸造法制备难熔合金靶材的技术难度,大大提高了材料组织和性能的可控性,有助于显著改善后期的镀膜性能。
本发明涉及一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法,属于
粉末冶金技术领域,所述制备方法包括原料粉的制备、混粉和靶材的真空热压烧结,具体包括如下步骤:将高纯钽和钌块体分别破碎成<2mm并筛分,得钽粉和钌粉;对钽粉和钌粉球磨至粒度在5‑200μm;将球磨好的两种粉体按照一定比例混料,得混合料;将混合料干燥后装入石墨模具;将模具放入热压炉中进行真空热压烧结,烧结结束后得高纯钽钌合金靶材的坯体;然后按照磁控溅射镀膜设备要求,对坯体进行加工,得到高纯钽钌合金靶材。采用本发明的制备方法,可显著降低传统铸造法制备难熔合金靶材的技术难度,大大提高了材料组织和性能的可控性,有助于显著改善后期的镀膜性能。