简介： 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺。其特点是，包括如下步骤：（1）将装好硅片的夹具放入等离子体刻蚀机腔体，硅片数量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反应气体CF4和O2，控制CF4流量在190-210sccm，O2流量25-35sccm，直至工作压力达到200-220psig；（4）辉光放电，气体反应；（5）再次抽真空，然后恢复常压；（6）打开腔体门，取出夹具，卸片即可。本发明提供了一种物理冶金法单晶硅太阳能电池片的干法刻蚀工艺，适用于125×125mm物理冶金法单晶硅太阳能电池，采用该工艺可以去除扩散后硅片边缘的短路环，使刻蚀后的硅片符合工艺要求，杜绝过刻或刻不透。