简介： 本发明公开了芯片或芯片封装的结构，具有机械 上去耦但电耦合到芯片上的多层互连的最终钝化层和端子冶 金。这种去耦使芯片可以经受得住在最终钝化区中的封装应 力，应变从其中的去耦区和柔顺的引线消除，因此芯片上的互 连层面不会感受到外部的封装或其它的应力。这种结构特别适 合于由Cu和低－k的电介质构成的芯片上互连，该低－k的电 介质相对于SiO2具有更差的机 械特性。去耦区在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸进 封边或者切割沟槽区以允许芯片切割和在晶片 上的每个芯片周围这种机械去耦特性的保持。