简介： 本发明公开了一种用于调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)的增强的T形栅极的结构和方法。增强的T形栅极具有将T形栅极的颈部夹在之间的绝缘间隔层。间隔层薄于T形条部分悬伸部分。绝缘层提供了机械支撑并在随后的器件处理期间保护了脆弱的颈部不受化学侵蚀,使T形栅极结构具有高的伸缩性并提高了成品率。使用低介电常数的薄保形绝缘层可以确保低栅极寄生电容,并降低了在源-栅间距减小到较小尺寸时,栅极和源极冶金接触短路的危险性。