简介： 实施例是改进的晶体管结构及该结构的制造方法。具体地,实施例的湿法蚀刻形成具有改进的尖端形状的源和漏区,以通过改进短沟道效应的控制、增加饱和电流、改进冶金栅长度的控制、增加载流子迁移率并减小源和漏及硅化物之间的界面处的接触电阻来改进晶体管的性能。