简介： 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法,先通过电子束在坩埚中形成稳定的高纯硅熔池,然后将需提纯硅粉通过进料真空闸室连续落入熔池,快速熔化后熔炼,从而去除硅粉中的杂质磷,得到的低磷硅液周期性地从坩埚中溢出,在水冷倾斜铜槽中形成硅块,并落入收集筒中冷却,最后通过出料真空闸室连续出料,完成连续提纯多晶硅的工艺过程。本发明采取连续加料和连续出料的熔炼方式,采用电子束熔炼多晶硅可去除饱和蒸汽压高的挥发性杂质磷,达到高效、连续熔炼除杂的目的,纯度达到了太阳能级硅的使用要求,技术稳定,能耗小,成本低,生产效率高,适合大规模工业化生产。