简介： 本发明公开了一种集成电路元件的形成方法,根据一实施例提供一种具有基脚形状的铜柱工艺,在凸块下冶金层上采用两道不同光敏性及厚度的光致抗蚀剂膜。在曝光显影工艺后,在第一光致抗蚀剂膜中形成具有实质上垂直的侧壁的第一开口,并在第二光致抗蚀剂层中形成具有倾斜侧壁的第二开口。第二开口的底部直径大于第二开口的顶部直径,且第二开口的底部直径大于第一开口的直径。接着形成导电层于第一开口及第二开口中,之后移除两道光致抗蚀剂膜。本发明在不需额外化学或等离子体工艺的情况下,即可轻易定义基脚形状的尺寸,大幅节省制造成本。