简介： 本发明是一种利用粉末冶金技术来制备二硅化钼电热元件或耐高温结构件的方法。本发明是将粉体颗粒体积百分比含量为16～64％的Si、0～70％的(Mo1－zWz)Si2、0～40％的Mo3Si、0～50％的(Mo1－zWz)5Si3、以及0～45％的陶瓷和粘土等混合粉料制成胚件，在非氧化环境中进行烧结，其中，烧结温度高于Si相的熔点，低于上述Mo－Si系的三个化合物及它们的共晶体的熔点，z=0～0.5，表示晶体中W原子数对W、Mo原子总数的比例。Si与(Mo1－zWz)5Si3或Mo3Si反应合成(Mo1－zWz)Si2相，并使晶粒直接结合，所以不但可提高材料的高、中、低温性能，降低生产成本，而且适应性广，可满足不同性能和成本要求的二硅化钼元件或构件。