简介： 本发明涉及一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO₂低温制备硅/碳化硅的方法。硅/碳化硅材料是近年来研究应用较广泛的一种新型材料,具有耐磨、耐腐蚀和耐高温等特点，在机械、化工和冶金等领域应用较多。目前，硅/碳化硅材料的制备工艺主要有无压液相烧结、热压烧结、反应烧结和先驱体转化法。上述方法的反应温度均大于1500℃，能耗大、成本高昂。本文提供了一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO₂低温制备硅/碳化硅的方法，该方法在300℃就能发生反应。同时也捕捉了CO₂气体，缓解了温室效应。