简介： 公开了无需进行冶金级硅的气化来制造太阳能电池的方法。因此,避免了在太阳能级或硅级硅(silicon?grade?silicon)的制造中涉及的成本和健康以及环境危害。太阳能电池结构体包括冶金级掺杂的硅基板和在该基板上形成的薄膜结构,其与该基板形成p-i-n结。该基板可以是掺杂的p-型,以及薄膜结构可以是在该基板上形成的本征非晶层和在该本征层上形成的n-型非晶层。