简介： 公开了一种高性能场效应器件的结构和制备方法。该MOS结构包括一种导电类型的晶体Si本体,外延地生长在Si本体上作为空穴的埋置沟道的应变的SiGe层,外延地生长在SiGe层作为用于电子的表面沟道的Si层,源和漏,包括外延淀积并具有与Si本体相反的导电极性的应变的SiGe。SiGe源和漏与Si本体形成了异质结和冶金结,其中异质结和冶金结以小于约10nm,优选小于约5nm的公差重合。异质结源/漏为减少短沟道效应的手段。由于增加了压缩应变的SiGe沟道,这些结构对PMOS特别有利。代表性的实施例包括块材和SOI上的CMOS结构。