简介： 本发明公开了一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法，包括：N型半导体硅材料作为半导体衬底，在N型半导体衬底上掺杂N+型杂质，去除半导体衬底一面的N+型杂质层，在暴露出的N-型半导体材料上再双杂质掺杂P+型杂质，再进行重金属铂掺杂，采用真空镀膜工艺制作硅片两面的金属化层，多芯片冶金键合成管芯组件，将硅片分割成所需尺寸的管芯，将分割后的管芯组件与引线组件通过高温烧结冶金键合，玻璃钝化封装，将调制好的玻璃粉糊涂覆在串联的12片管芯上，即完成玻璃封装二极管的制作。本发明产品具有电压高、正向小、反向恢复短、高温工作稳定好，长期工作可靠性高等特点，广泛应用于航空、航天、电子、兵器、船舶等领域。