简介： 本发明公开了一种半导体器件的互连凸块、半导体器件、半导体器件封装件和照明设备。所述半导体器件包括发光结构和互连凸块，所述互连凸块包括：凸块下冶金层，其位于第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层中的至少一个的电极上，并且具有与电极的表面相对的第一表面，以及从第一表面的边缘延伸以连接至电极的第二表面；金属间化合物，其位于凸块下冶金层的第一表面上；焊料凸块，其键合至凸块下冶金层，并使金属间化合物介于焊料凸块与凸块下冶金之间；以及阻挡层，其位于凸块下冶金层的第二表面上，并且实质上防止焊料凸块扩散至凸块下冶金层的第二表面。