简介： 一种形成高品质硅材料，例如多晶硅，的系统。在特定实施例中，熔化材料包括硅材料和杂质，例如磷物质。该系统包括具有内部区域的坩埚。在特定实施例中，所述坩埚由合适材料制成，诸如石英材料或其它。该石英材料能够承受至少1400摄氏度的温度，以便加工硅。在特定实施例中，所述坩埚被配置为处于竖直位置并且具有露出熔化材料的开口区域。在特定实施例中，本系统具有能量源。此能量源可以是弧加热器或其它合适的加热装置，包括可以相同或不同的多个加热装置。弧加热器被配置在所述开口区域之上并且在露出的所述熔化材料和所述弧加热器的喷口区域之间隔开一个间隙，以在露出的所述熔化材料的中心区域的附近形成确定的温度分布，同时保持所述熔化材料的外部区域的温度低于所述坩埚的石英材料的熔点。在特定实施例中，该系统产生包括0.1ppm及0.1ppm以下的最终磷物质的熔化材料，这是经提纯的硅。