简介： 本发明涉及硅的精制和除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度、特别是低硼、低磷杂质含量的、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅原料的方法。现有的高纯硅制造方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用将硅材料和特定除杂剂制成的含硅熔体的方法，经精炼纯化，并使硅结晶分离，得到纯化的硅，经进一步除去除杂剂成分，获得可应用于半导体和电子元器件领域的高纯硅或硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取高纯硅或硅晶体。