简介： 本发明属于材料工程技术领域,特别涉及一种太阳能级多晶硅的制备方法。其技术方案是为采用高纯硅石和碳质还原剂为原料,经过矿热炉碳热还原、渣洗精炼、湿法除杂、定向凝固、电子束熔炼后,得到太阳能级多晶硅。该高纯度的太阳能级多晶硅的B含量≤0.25ppmw、P含量≤0.43ppmw、纯度≥99.9999%。本发明与现有技术相比具有以下优点:1、生产工艺流程短;电耗低;环境污染小;技术方法分步骤、有目的性、选择性、递级性地去除硅中的杂质,产品纯度高。2、本发明可以由硅石直接制备太阳能级多晶硅,可成功应用于大型高压并网电站。