简介： 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种应用于冶金法提纯多晶硅工艺的低温破碎硅锭方法，其特征在于将介质熔炼、定向凝固或电子束熔炼提纯得到的硅锭，经降温至300～400℃时，放入到20～80℃的水或油中，且液面超过硅锭上表面，硅锭在水或油中自然破碎成碎硅料。本发明的优点在于：（1）不再需要借助外力，充分利用硅的物理特性进行低温破碎，节省了人力、物力成本；（2）破碎效果好，沿晶界处破碎，形成的碎硅料大小均匀，不需要再二次破碎，经简单处理后即可用于下一环节生产。