简介： 本发明属于微电子封装材料领域，特别涉及一种 采用粉末冶金工艺制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法。该方法 通过配粉、加胶造粒、冷等静压成型、烧结、机加工五个步骤 制备高导热陶瓷基片。上述制备方法所用原材料的主要化学成 分为AlN94～99wt％，其余为烧结助剂，烧结助剂成分为 Y2O3、 Dy2O3、CaO、CaF2、SrO中的任 一种或一种以上，比例为1～6wt％。粉体造粒所用的粘结剂是 浓度为1～5wt％丁纳橡胶的汽油溶液或浓度为1～12w％乙基 纤维素、聚乙烯醇的酒精溶液中的任一种。本发明与现有技术 相比，具有工艺简单、易控制、基片尺寸适应性和一致性好、 成品率高、导热率高、通用性好，适用于规模化生产的优点。